Solid State Disk

Tunnel Quantistico

Il funzionamento dei memorie flash che si trovano nei dischi SSD è  dovuto al tunnel quantistico.

In meccanica quantistica l’effetto “tunnel” consiste nel superamento di una barriera anche se non si possiede abbastanza potenziale per superarla. Per farla semplice è come se lanciando una palla contro il muro e questa passasse dalla parte opposta senza  distruggere il  muro. Come la maggior parte delle leggi di fisica quantistica queste non sono valide nel mondo che conosciamo.

Le memorie flash in genere sono composto da una parte  di polisilicio circondato da un materiale dielettrico che lo isola, gli elettroni superano il materiale dielettrico sfruttando l’effetto tunnel ma poi rimangono imprigionati all’interno del polisilicio.

Questi elettroni imprigionati generano una tensione che trasforma il transistor associato in “on” o “off” .
Nel 1998 Hiroaki Hazama di Toshiba Corporation ha dimostrato che il numero tipico di elettroni imprigionati su una superficie di 0,25 micron quadrati è di circa 13.500.
Con questo piccolo numero, la perdita di un solo elettrone al giorno determinerebbe la perdita del 27% della carica totale in 10 anni.