Solid State Disk

Tempi di Latenza

I tempi di latenza delle RAM DDR sono quei numeri indicati fra parentesi (5-5-5-12) e indicano  il ritardo nell’effettuare delle operazioni. Minori sono i numeri più performanti sono le memorie

CAS Latency (Tcl): indica il ritardo, in termini di cicli di clock, tra l’inoltro di una richiesta in lettura e l’istante in cui il dato è pronto per l’uscita. A valori inferiori della latenza corrispondono prestazioni velocistiche superiori. Ovviamente, una latenza pari a 3 implica performance differenti se la memoria opera alla frequenza di 166 MHz o 200 MHz oppure, ancora, a quella di 250 MHz.

RAS to CAS Delay (Trcd): come anticipato, i dati contenuti nei moduli memoria vengono disposti e letti in righe e colonne, partendo sempre prima dalle righe e, in seguito, passando alle colonne. Il Ras to Cas Delay indica il ritardo (delay), in termini di cicli di clock, tra il segnale di RAS e quello di CAS. A valori inferiori corrispondono prestazioni superiori.

RAS Precharge Time (Trp): tale valore indica l’intervallo di tempo (sempre espresso in cicli di clock) tra un comando RAS e il successivo. In questo intervallo vengono precaricati i condensatori della memoria. L’operazione di precharge si rende indispensabile per la caratteristica peculiare delle DRAM di cui si è discusso in precedenza. Ovviamente, anche in questo caso, a valori inferiori corrispondono prestazioni superiori.

Cycle Time (Tras): intervallo di tempo (espresso in cicli di clock) necessario per prelevare un dato da una cella di memoria e renderlo disponibile per l’output.