Solid State Disk

I primi lotti delle nuove memorie NAND flash a 3-bit, caratterizzati da un’architettura multi-level-cell (MLC) e processo di fabbricazione a 30nm sembra stiano creando qualche problema ai produttori Coreani. I produttori di moduli di memoria lamentano scarsa affidabilità e performance inferiori rispetto agli attuali modelli che sfruttano chip da 2-bit per cella. A riferirlo è una fonte anonima riportata dal sito DigiTimes. La stessa fonte riporta che i primi lotti di memorie flash sono stati distribuiti solo in Cina e Stati Uniti presso le aziende produttrici del settore ma l’unico produttore statunitense che ha ricevuto i moduli ha restituito i lotti a causa dell’instabilità dei prodotti.

Secondo quanto riportano progettisti dei controller dei chip, le memorie NAND flash a 3-bit sfruttano tecnologie ancora immature e saranno necessari almeno altri tre mesi per individuare e risolvere i problemi d’instabilità e compatibilità.

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La taiwanese InnoDisk ha recentemente presentato un Solid State Drive interessante, che si fregia di una capacità di ben 2TB e sfrutta l’interfaccia PCIe per connettersi al PC. Non siamo dunque di fronte al solito Solid State Drive da 2,5 pollici, ma a quelle soluzioni di fascia più elevata che ogni tanto fanno capolino nelle notizie che pubblichiamo sull’argomento, destinate ad ambiti server, embedded e hardcore gaming.

Si tratta più che altro di un aggiornamento delle famiglie di prodotto Matador I e Matador II, accomunate dall’interfaccia PCIe e dall’aspetto da scheda video. Queste famiglie sono realizzate in diverse varianti, equipaggiate con chip SLC oppure MLC. Queste ultime sono quelle in grado di raggiungere la capacità più elevata, che nelle ultime versioni raggiunge quota 2TB.

Le prestazioni sono allineate con i prodotti di questa tipologia, ovvero molto elevate: InnoDisk parla infatti di ben 800MB al secondo in lettura e 600MB al secondo in scrittura, contro i 230-250MB massimi raggiungibili con SSD da 2,5 pollici, limitati dall’interfaccia SATAII.

Alla base dei prodotti InnoDisk troviamo chip NAND Flash di derivazione Samsung, mentre non è ancora possibile avere informazioni su prezzi e disponibilità dei modelli, che ricordiamo essere davvero numerosi sia per differenza dei tagli disponibili, sia per la tipologia di chip utilizzata.

Il team  di ricerca guidato da  Takeyo Someya, Tsuyoshi Sekitani professore e ricercatore associato presso il dipartimento di Ingegneria elettronica e sistemi informativi dell’Università di Tokio hanno creato una memoria flash  flessibile.
I ricercatori hanno hanno inserito delle celle di memoria NAND su un foglio di PEN (polyethylene naphthalate) che può essere piegato fino a raggiungere un raggio di curvatura di appena 6 millimetri prima di creare danni meccanici o elettrici.

La nuova memoria viene chiamata “organic flash memory” (il termine organico viene usato perchè costituita da elementi che derivano dal carbonio) e viene dichiarata con consumi di 6 V per la scrittura e 1 V per la lettura e una vita di 1000 cicli a differenza delle precedenti memorie flessibili basati su materiali ferroelettrici che costumavano 20V e diventava instabile a contatto con l’aria.

Un difetto abbastanza importante per questa nuova memoria flash e che riesce a conservare i dati per un solo giorno, ma i ricercatori sono fiduciosi di riuscire ad aumentare di molto il tempo di vita dei dati con piccole modifiche.

Fate attenzione, fan di Apple, questa non è la solita noiosa notizia su un processore. Con Toshiba che fornisce i chip da 16GB e 32GB per l’iPhone 3GS, il fatto che l’azienda abbia annunciato il primo chip NAND da 64GB è molto suggestivo.
Potrebbe esserci un iPhone 3GS da 64GB in programma?
O anche un iPod Touch da 128GB?
Toshiba inizierà a produrre 3 milioni di unità al mese di questo chip a partire da gennaio 2010, il che sarebbe più che sufficiente per un certo iPhone 4 che in molti attendono per giugno.

Se pensate che la vostra fotocamera digitale possa avere spesso un problema di questo genere, questa è davvero una funzione interessante, no? Oltre a sopportare 1,6 tonnellate di peso, queste tre nuove schede di memoria sono resistenti allo shock, all’acqua e sono a prova di magnete.
Potete averle nei formati da 4GB, 8GB o 16GB sia nella versione microSD che SD e da 4 e 8 GB se preferite le CompactFlash. Sono in vendita da adesso in Inghilterra e in altri paesi europei, ma non ancora in Italia. Questione di qualche giorno, probabilmente.

Hardware.fr si è imbattuta, sul sito Seagate, in una pagina subito tolta dalla rete. Nonostante ciò, lo screenshot catturato parla abbastanza chiaro: presto vedremo in vendita un Solid State Drive di casa Seagate, per cui è stato scelto il nome di Pulsar.

Si tratta di una ulteriore conferma alle voci già circolanti da tempo, che vedono un adeguamento di strategia da parte di Seagate, che ha preferito fino ad oggi guardare dalla finestra il mercato Solid State Drive. Il disco in arrivo, di cui non si sa nulla a livello tecnico, sarà destinato al settore Enterprise (quello dei dischi Intel X-25-E, per intenderci), probabilmente realizzato utilizzando chip di tipo SLC, Single Level Cell.

E’ presto per capire se Seagate sceglierà di realizzare una linea anche per la clientela consumer, e in quale fascia intenderà posizionarsi. E’ fuor di dubbio però che i Solid State Drive stanno entrando pian piano nell’ideale dell’utenza più appassionata, alla ricerca di prestazioni più che di capienza, campo nel quale il disco tradizionale non ha rivali datti di chip NAND Flash da temere.

Qualsiasi ipotesi su Pulsar rimane comunque azzardata, motivo per cui resteremo con i sensi all’erta al fine si cogliere qualsiasi informazione a riguardo, sempre che non arrivi direttamente un comunicato ufficiale Seagate. In questo caso, sarete i primi a saperlo.