Il Solid State Disk  Intel che va sotto il nome di Intel X25-V avrà un prezzo di circa 100 euro.
Questo modello di SSD è già commercializzato da Kingston con il nome di SSD Now V 40GB e contraddistinto da un form factor da 2,5 pollici e dall’utilizzo di chip di tipo MLC.
Questo disco nasce per soddisfare la richiesta di chi è alla ricerca di un SSD dalle buone prestazioni ad un prezzo accessibile, accettando il compromesso della bassa capienza, che si ferma a 40GB. Per il resto il disco adotta il già noto controller Intel, sebbene con 5 canali operativi contro i 10 die modleli di maggiore lignaggio. Questa versione di controller permette di raggiungere una velocità di scrittura sequenziale di circa 40MB al secondo, mentre per quanto riguarda la lettura si sale a 170MB al secondo circa.

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Durante il CESS 2010 Plextor, noto marchio del settore delle unità ottiche, ha reso noto che entrerà a breve nel mercato dei Solid State Drives.

La prima line-up di SSD Plextor utilizzerà chip NAND flash di tipo MLC ed adotterà un controller Marvell affiancato da64MB di cache. Sarà disponibili in modelli con tagli da 64 e 128GB, dotati d´interfaccia SATA  3Gbps in grado di garantire una velocità in lettura di 110 MB/s ed una in scrittura di 64 MB/s.

La distribuzione è prevista entro la fine del primo trimestre dell´anno.

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Fonte: dinoxpc.com

Crucial presenterà a febbraio dei nuovi drives RealSSD C300 realizzati da Micron Technology. Si tratta di unità SSD con interfaccia SATA  6 Gbps in grado di raggiungere prestazioni da primato: velocità di lettura di 355 MB/s e velocità di scrittura pari a 215 MB/s.

Generalmente quando un produttori dichiara di avere il disco allo stato solito più veloce al mondo lo fa basandosi solo sui test di velocità sequenziale ignorando quelli di I/O random, terreno che fino ad ora ha visto lo strapotere delle soluzioni Intel X25-M. Non è il caso dei nuovi dischi Micron, visto che anche in questa modalità superano con facilità la controparte Intel.

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I primi lotti delle nuove memorie NAND flash a 3-bit, caratterizzati da un’architettura multi-level-cell (MLC) e processo di fabbricazione a 30nm sembra stiano creando qualche problema ai produttori Coreani. I produttori di moduli di memoria lamentano scarsa affidabilità e performance inferiori rispetto agli attuali modelli che sfruttano chip da 2-bit per cella. A riferirlo è una fonte anonima riportata dal sito DigiTimes. La stessa fonte riporta che i primi lotti di memorie flash sono stati distribuiti solo in Cina e Stati Uniti presso le aziende produttrici del settore ma l’unico produttore statunitense che ha ricevuto i moduli ha restituito i lotti a causa dell’instabilità dei prodotti.

Secondo quanto riportano progettisti dei controller dei chip, le memorie NAND flash a 3-bit sfruttano tecnologie ancora immature e saranno necessari almeno altri tre mesi per individuare e risolvere i problemi d’instabilità e compatibilità.

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Fonte: macitynet.i

La taiwanese InnoDisk ha recentemente presentato un Solid State Drive interessante, che si fregia di una capacità di ben 2TB e sfrutta l’interfaccia PCIe per connettersi al PC. Non siamo dunque di fronte al solito Solid State Drive da 2,5 pollici, ma a quelle soluzioni di fascia più elevata che ogni tanto fanno capolino nelle notizie che pubblichiamo sull’argomento, destinate ad ambiti server, embedded e hardcore gaming.

Si tratta più che altro di un aggiornamento delle famiglie di prodotto Matador I e Matador II, accomunate dall’interfaccia PCIe e dall’aspetto da scheda video. Queste famiglie sono realizzate in diverse varianti, equipaggiate con chip SLC oppure MLC. Queste ultime sono quelle in grado di raggiungere la capacità più elevata, che nelle ultime versioni raggiunge quota 2TB.

Le prestazioni sono allineate con i prodotti di questa tipologia, ovvero molto elevate: InnoDisk parla infatti di ben 800MB al secondo in lettura e 600MB al secondo in scrittura, contro i 230-250MB massimi raggiungibili con SSD da 2,5 pollici, limitati dall’interfaccia SATAII.

Alla base dei prodotti InnoDisk troviamo chip NAND Flash di derivazione Samsung, mentre non è ancora possibile avere informazioni su prezzi e disponibilità dei modelli, che ricordiamo essere davvero numerosi sia per differenza dei tagli disponibili, sia per la tipologia di chip utilizzata.

Fonte: hwupgrade.it

flexibleflashmemory

Il team  di ricerca guidato da  Takeyo Someya, Tsuyoshi Sekitani professore e ricercatore associato presso il dipartimento di Ingegneria elettronica e sistemi informativi dell’Università di Tokio hanno creato una memoria flash  flessibile.
I ricercatori hanno hanno inserito delle celle di memoria NAND su un foglio di PEN (polyethylene naphthalate) che può essere piegato fino a raggiungere un raggio di curvatura di appena 6 millimetri prima di creare danni meccanici o elettrici.

La nuova memoria viene chiamata “organic flash memory” (il termine organico viene usato perchè costituita da elementi che derivano dal carbonio) e viene dichiarata con consumi di 6 V per la scrittura e 1 V per la lettura e una vita di 1000 cicli a differenza delle precedenti memorie flessibili basati su materiali ferroelettrici che costumavano 20V e diventava instabile a contatto con l’aria.

Un difetto abbastanza importante per questa nuova memoria flash e che riesce a conservare i dati per un solo giorno, ma i ricercatori sono fiduciosi di riuscire ad aumentare di molto il tempo di vita dei dati con piccole modifiche.

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