Molti avranno notato che i dischi SSD, ma anche la memoria RAM, le pendrive usb e le schede SD, hanno dimensioni che vanno da 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128 GB (ovvero seguendo lapotenza di 2), mentre i normali hard disk meccanici tradizionali sono indicati sempre con le potenze di 10 (10, 20, 30 GB, 40, 60 GB, 120GB). Perché vi è questa differenza di nomenclatura?

Qualche tempo fa, A-DATA aveva presentato un kit di memorie DDR3  ad alte prestazioni, XPG DDR3-2133X v2.0 appartenenti alla famiglia X-Series, queste memroie erano certificate per lavorare a 2133Mhz con latenze 10-10-10-30, che però richiedevano un elevato voltaggio per funzionare, ben 2.05v-2,15v. Nel corso del CeBIT di Hannover edizione 2009, A-DATA ha ripresentato un kit simile a quello sopra citato ma con alcune migliorie per permettere di essere abinato a piattaforme IntelCore i7 con controller integrato, infatti queste memorie necessitano [...]

Toshiba Corporation ha sviluppato un prototipo di di memoria FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) ad alta densità: 128 Mbit. Non soltanto la densità, ma anche le prestazioni sono di spicco visto che per questa memoria non volatile vengono dichiarate velocità di scrittura fino a 1,6 GByte/s. La tecnologia FeRAM modifica l’architettura originale chainFeRAM di Toshiba e riesce e limitare il degrado dei segnali delle celle.La tecnologia FeRAM combina in pratica [...]

Samsung ha annunciato lo sviluppo dei primi chip da 50 nanometri e 4 gibabit ed ha anche detto che, grazie alla tecnologia dual-die, sarà in grado di infilare due moduli da 16GB di memoria RAM in uno solo. I moduli di RAM DDR3 da 32GB non saranno proprio economici. Quindi la notizia veramente buona è che i banchi di RAM DDR3 di capacità inferiore cominceranno a costare meno. Il che non è affatto male per noi poveri mortali con i portafogli leggeri.

Transcend Information sarà presente al CES di Las Vegas dall’8 all’11 gennaio 2009, presso lo stand No. 30349 Padiglione 3 Sud del Las Vegas Convention Center. Numerose le novità di prodotto che verranno presentate. Tra le più significative, il modulo di memoria over-clocking aXeRam DDR3-2000, la chiavetta USB JetFlash V85 da 16GB e le JetFlash V90 e V95 da 8GB, gli SSD da 2.5” e 1.8″ SATA da 128GB, la [...]

Hynix Semiconductor ha annunciato di essere riuscita a produrre la prima DRAM mobile da 2Gb, usando il processo produttivo a 54 nm. Questo prodotto raddoppia l’attuale densità disponibile per le soluzioni mobili. La velocità operativa arriva a 400Mbps, con una tensione di alimentazione di 1,2 Volt, e permette di elaborare fino a 1,6 GB di dati al secondo, con un interfaccia I/O a 32 bit. Ciliegina sulla torta, in consumi [...]